讓石墨烯(graphene)成為半導體矽材料的接班人，已經(jīng)成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優(yōu)先研究項目；但因為石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性，美國麻省理工學院(mit)與哈佛大學(harvarduniversity)的研究人員認為大家可能都搞錯了方向，應該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。 　　研究人員指出，有一類以nihitp(nickelhexa-imino-triphenylene)為代表的材料，就擁有上述特性。mit化學教授mirceadinca表示：「就像石墨可剝離為石墨烯(也不過就是片狀的石墨)，我們所開發(fā)的材料也能剝離成片狀；相較于石墨烯層，我們的材料層是能透過受控制的化學改質(zhì)(chemicalmodification)來調(diào)節(jié)，因此能有系統(tǒng)地改變其電子特性。」 　　

　　該種新開發(fā)材料的正式名稱是「ni3(hitp)2」，因為它鍵合了鎳(ni)的3個原子以及2個hitp有機分子；不過nihitp只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種，能針對特定應用在原子等級調(diào)節(jié)其電子功能。 　　類石墨烯材料的分子架構(gòu)會自然形成六角形晶格，而每個六角形的開口都能完全對齊 dinca指出：我們還沒量測出這種材料的能隙，但確定它大于0；石墨烯的能隙是0，并不適合做為半導體。我們現(xiàn)在正試圖將該種材料制作成大尺寸的片狀，首先要量測它的能隙并能更清楚描述其電子特性，其次則是用該種材料來制作元件；而這也是我們所面臨的挑戰(zhàn)。

　　此外dinca也表示，由于還有許多可調(diào)節(jié)的空間，真的看不到在生產(chǎn)更多材料方面的限制；而他們已經(jīng)有數(shù)種其他相關(guān)的二維材料，應該都擁有些微不同的電子特性，這也正是他們正在尋找的，可調(diào)節(jié)的金屬-有機類石墨烯。 dinca的研究團隊并非以傳統(tǒng)方式透過摻雜(doping)將雜質(zhì)或缺陷導入nihitp這種新材料，其方法是謹慎在原子層級打造該類材料──也就是在制程中由下至上(bottom-up)調(diào)諧其功能，以支援特定的電子、甚至可能是光學特性。 　　

　　根據(jù)dinca的說法：「我們的材料是從原子層級就被明確定義；這就是關(guān)鍵所在，我們不是依靠缺陷，那無法被妥善理解而且無法良好控制；我們所創(chuàng)造的材料特性，能透過分子結(jié)構(gòu)從本質(zhì)上進行修改。我們能用由下至上、一個分子一個分子的方式來進行?！?nihitp就像石墨烯一樣，會自組裝成完美的六角形蜂巢狀晶格，并堆疊成多層、每一層的六角形開口都能完全對齊，孔洞的厚度僅有2奈米。 　　

　　掃描式電子顯微鏡下顯示二維架構(gòu)集合所形成的奈米粒子(來源：mit) 　　

　　接下來研究人員打算制作單層狀(monolayer)新材料，以精確量測其能隙，并用以生產(chǎn)電子元件；研究小組也將利用不同化學配方打造出一系列相關(guān)材料，針對不同應用從基礎(chǔ)元素調(diào)節(jié)其特性。例如能擷取不同波長光線的太陽能電池、或是具備超高儲存密度的超級電容，甚至是拓樸絕緣體(topologicalinsulator)、量子霍爾效應元件(quantumhalleffectdevice)。